士兰微低压MOS功率管
参数:23A，500V，RDSon（典型值）=0.21Ω@VGS=10V
型号:SVF23N50PN
规格:TO3P
产品介绍：
SVF23N50PN是N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管，采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。
主要特点
23A，500V，RDS(on)（典型值）=0.21Ω@VGS=10V
低栅极电荷量
低反向传输电容
开关速度快
提升了dv/dt 能力
