士兰微低压MOS功率管
参数:120A，85V，RDSon（典型值）=4.5mW@VGS=10V
型号:SVT085R5NT/S/L5
规格:TO3P
产品介绍：
SVT085R5NT/S/L5 N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
主要特点
120A，85V，RDS(on)（典型值）=4.5mW@VGS=10V
低栅极电荷量
低反向传输电容
开关速度快
提升了dv/dt 能力
